Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 150V, 14A, com encapsulamento TO 220AB. Projetado para aplicações de comutação de alta eficiência.
Especificações
| Tipo de Transistor | MOSFET de Canal N |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 150 V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 14 A |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 2 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 0.11 Ohm @ Vgs = 10V |
| Encapsulamento | TO-220AB |
| Tecnologia | Logic Level |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Drain Pulsada (Idm) | 56 A |
| Carga de Gate Total (Qg) | 25 nC |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 480 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 100 pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 20 pF |
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor IRF6215PBF?
O transistor IRF6215PBF possui encapsulamento TO-220AB.
Qual a temperatura de operação do IRF6215PBF?
A temperatura de operação do IRF6215PBF varia de -55°C a +175°C.
Quais são as principais características elétricas do IRF6215PBF?
O IRF6215PBF é um MOSFET de canal N com tensão Drain-Source (Vds) de 150V, corrente contínua de Drain (Id) de 14A, e Resistência Drain-Source (Rds(on)) de 0.11 Ohm @ Vgs = 10V.