Infineon IRF540NLPBF: MOSFET de Potência N-Channel 100V 33A

O IRF540NLPBF da Infineon é um MOSFET de potência N-Channel de alta performance, projetado para aplicações que exigem alta velocidade de comutação e baixa resistência de condução. Perfeito para projetos de eletrônica de potência, este componente oferece excelente eficiência e confiabilidade.

Especificações Técnicas do IRF540NLPBF:

• Tensão Dreno-Source (Vdss): 100V
• Corrente de Dreno Contínua (Id): 33A
• Resistência de Condução (Rds(on)): 44mΩ
• Encapsulamento: TO-262
• Tecnologia: HEXFET®
• Temperatura de Operação: -55°C a +175°C

Características Principais do IRF540NLPBF:

Este MOSFET de potência da Infineon se destaca por suas características avançadas, que o tornam ideal para uma variedade de aplicações:

• Baixa resistência de condução, garantindo menor dissipação de energia e maior eficiência.
• Alta velocidade de comutação, permitindo o uso em circuitos de alta frequência.
• Capacitância de entrada e saída reduzidas, minimizando perdas de comutação.
• Robusto encapsulamento TO-262, que oferece alta durabilidade e facilidade de montagem.
• Tecnologia HEXFET® da Infineon, sinônimo de qualidade e confiabilidade.

Aplicações do MOSFET IRF540NLPBF:

O IRF540NLPBF é um componente versátil, que pode ser utilizado em diversas aplicações, como:

• Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
• Conversores DC-DC
• Controladores de motor
• Circuitos de acionamento de solenoides
• Sistemas de iluminação
• Aplicações automotivas

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