Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 100V, 14A, com encapsulamento TO 220. Projetado para aplicações de comutação de alta eficiência.
Especificações
| Tipo de Transistor | MOSFET de Canal N |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 14 A |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 4 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 0.077 Ohm @ Vgs = 10V |
| Encapsulamento | TO-220 |
| Tecnologia | Power MOSFET |
| Corrente de Drain Pulsada (Idm) | 56 A |
| Dissipação de Potência (Pd) | 150 W |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| RoHS | Sim (Pb-free) |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRF530NPBF?
O IRF530NPBF possui encapsulamento TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF530NPBF?
A temperatura de operação do IRF530NPBF varia de -55°C a +175°C.
Qual a tensão Drain-Source (Vds) e a corrente contínua de Drain (Id) do IRF530NPBF?
A tensão Drain-Source (Vds) é de 100V e a corrente contínua de Drain (Id) é de 14A.