Infineon IRF530NPBF

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Infineon IRF530NPBF: MOSFET de Potência N-Channel 100V 17A

O IRF530NPBF da Infineon é um MOSFET de potência N-Channel de alta qualidade, ideal para uma variedade de aplicações que exigem alta velocidade de comutação e baixa resistência. Com uma tensão máxima de dreno-fonte de 100V e uma corrente de dreno contínua de 17A, este transistor é robusto e confiável, tornando-o uma escolha popular para projetos de eletrônica de potência.

Especificações Técnicas do IRF530NPBF:

  • Tipo de MOSFET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensão Dreno-Fonte (Vdss): 100V
  • Corrente de Dreno Contínua (Id) @ 25°C: 17A
  • Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 25V
  • Dissipação de Potência (Max): 70W
  • Temperatura de Operação: -55°C ~ 175°C
  • Tipo de Montagem: Through Hole
  • Encapsulamento: TO-220AB

Aplicações do MOSFET IRF530NPBF

O IRF530NPBF é um componente versátil que pode ser utilizado em diversas aplicações, incluindo:

  • Fontes de alimentação chaveadas
  • Controladores de motor DC
  • Circuitos de acionamento de relés
  • Conversores DC-DC
  • Sistemas de controle industrial
  • Eletrônica automotiva

Benefícios do IRF530NPBF

Este MOSFET oferece uma série de vantagens que o tornam uma excelente escolha para seus projetos:

  • Baixa resistência de condução (Rds On), resultando em menor dissipação de energia e maior eficiência.
  • Alta velocidade de comutação, permitindo operação em altas frequências.
  • Robustez e confiabilidade, garantindo longa vida útil e desempenho consistente.
  • Encapsulamento TO-220AB, amplamente utilizado e de fácil montagem.

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Observação: As especificações podem estar sujeitas a alterações sem aviso prévio. Consulte o datasheet do fabricante para obter as informações mais atualizadas.

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