Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 55V, 31A, com encapsulamento D2PAK. Projetado para aplicações de alta eficiência e comutação rápida.
Especificações
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 55 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 31 A |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 124 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Dreno | Source (Rds(on)): 0.042 Ohm @ Vgs = 10V |
| Carga de Gate (Qg) | 40 nC |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
| Encapsulamento | D2PAK (TO-263) |
| RoHS Compliant | Sim |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRF5305STRLPBF?
O IRF5305STRLPBF possui encapsulamento D2PAK (TO-263).
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF5305STRLPBF?
A temperatura de operação do IRF5305STRLPBF varia de -55°C a +175°C.
Quais são as principais características elétricas do IRF5305STRLPBF?
O IRF5305STRLPBF é um MOSFET de canal N com tensão dreno-fonte de 55V, corrente de dreno contínua de 31A, e resistência dreno-fonte (Rds(on)) de 0.042 Ohm (Vgs = 10V). Possui tempo de subida de 15ns e tempo de descida de 10ns.