Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 100V, 13A, com encapsulamento TO 220. Projetado para aplicações de comutação de alta eficiência.
Especificações
| Tipo de Transistor | MOSFET de Canal N |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 13 A |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 4 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 0.075 Ohm @ Vgs = 10V |
| Encapsulamento | TO-220 |
| Tecnologia | Power MOSFET |
| Corrente de Drain Pulsada (Idm) | 52 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ± 20 V |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Carga de Gate (Qg) | 25 nC |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRF5210SPBF?
O IRF5210SPBF possui encapsulamento TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF5210SPBF?
A temperatura de operação do IRF5210SPBF é de -55°C a +175°C.
Quais as características elétricas do IRF5210SPBF?
O IRF5210SPBF é um MOSFET de Canal N com tensão Drain-Source (Vds) de 100V e corrente contínua de Drain (Id) de 13A. A tensão de Threshold Gate-Source (Vgs(th)) é 4V. Sua resistência Drain-Source (Rds(on)) é 0.075 Ohm @ Vgs = 10V. A corrente de Drain pulsada (Idm) é 52 A e a tensão Gate-Source (Vgs) é ± 20 V.