Infineon IRF5210SPBF: MOSFET de Potência P-Channel de Alta Performance
O IRF5210SPBF da Infineon é um MOSFET de potência P-Channel HEXFET® projetado para aplicações que exigem alta velocidade de comutação, baixa resistência de condução e robustez. Com uma tensão de ruptura de dreno-fonte (VDSS) de 100V e uma corrente de dreno contínua (ID) de 38A, este transistor MOSFET é ideal para uma variedade de aplicações, incluindo:
- Controle de motor
- Fontes de alimentação chaveadas
- Conversores DC-DC
- Circuitos de acionamento de relé
- Aplicações automotivas
Especificações Técnicas do IRF5210SPBF
Este MOSFET de potência oferece um conjunto de características que o tornam uma solução eficiente e confiável para suas necessidades de projeto. Aqui estão algumas das principais especificações:
- Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 100V
- Corrente de Dreno Contínua (ID): 38A a 25°C
- Resistência de Condução (RDS(on)): 60mΩ a VGS = 10V, ID = 38A
- Tensão de Threshold de Gate (VGS(th)): 4V
- Carga de Gate (Qg): 230nC
- Dissipação de Potência (PD): 170W
- Temperatura de Operação (Tj): -55°C a +150°C
- Encapsulamento: D2PAK
Recursos e Benefícios
O IRF5210SPBF oferece uma série de vantagens em relação a outros MOSFETs de potência:
- Baixa resistência de condução (RDS(on)): Minimiza as perdas de potência e aumenta a eficiência.
- Alta velocidade de comutação: Permite o uso em aplicações de alta frequência.
- Alta capacidade de corrente: Adequado para controlar cargas de alta potência.
- Robustez: Apresenta excelente capacidade de avalanche e resistência a curto-circuito.
- Encapsulamento D2PAK: Oferece excelente dissipação térmica e é fácil de montar em placas de circuito impresso.
Aplicações
O IRF5210SPBF é uma escolha versátil para uma ampla gama de aplicações, incluindo:
- Controle de motor DC e AC
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Carregadores de bateria
- Sistemas de iluminação
- Controle industrial
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