Infineon IRF520NPBF

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Infineon IRF520NPBF: MOSFET de Potência N-Channel para Aplicações Diversas

O IRF520NPBF da Infineon é um MOSFET de potência N-Channel de alta qualidade, pertencente à renomada família HEXFET®. Projetado para operar em uma variedade de aplicações, este transistor oferece excelente desempenho, confiabilidade e eficiência. Com recursos avançados e especificações robustas, o IRF520NPBF é uma escolha ideal para projetos que exigem alta performance e baixo consumo de energia.

Especificações Técnicas do IRF520NPBF

Este MOSFET de potência apresenta características que o tornam uma solução versátil para diversas aplicações. Confira as principais especificações:

  • Tensão Dreno-Source (Vdss): 100V
  • Corrente de Dreno Contínua (Id) @ 25°C: 9.7A
  • Resistência de Estado Ligado (Rds(on)): 200mΩ @ 5.7A, 10V
  • Tensão de Threshold de Gate (Vgs(th)): 4V @ 250µA
  • Carga de Gate (Qg): 25nC @ 10V
  • Dissipação de Potência (Pd): 48W
  • Temperatura de Operação: -55°C a +175°C
  • Encapsulamento: TO-220AB

Aplicações do MOSFET IRF520NPBF

Graças às suas características, o IRF520NPBF pode ser utilizado em uma ampla gama de aplicações, incluindo:

  • Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
  • Conversores DC-DC
  • Controladores de motor
  • Circuitos de acionamento de relés
  • Sistemas de iluminação
  • Aplicações automotivas

Vantagens do IRF520NPBF

O IRF520NPBF oferece uma série de vantagens que o destacam entre outros MOSFETs de potência:

  • Baixa resistência de estado ligado (Rds(on)), resultando em menor dissipação de potência e maior eficiência.
  • Alta capacidade de corrente, permitindo o uso em aplicações de alta potência.
  • Tempo de comutação rápido, proporcionando melhor desempenho em circuitos de alta frequência.
  • Encapsulamento TO-220AB robusto, garantindo alta confiabilidade e durabilidade.

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