Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 54A, 100V, com encapsulamento TO 220.
Especificações
| Tecnologia | Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de canal | N-Channel |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 100 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 54 A |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 4 V |
| Resistência Dreno | Source (Rds(on)): 0.024 Ohm |
| Encapsulamento | TO-220 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Carga de Gate (Qg) | 70 nC |
| Tensão Gate | Source Máxima (Vgs): ±20 V |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 216 A |
| Dissipação de Potência (Pd) | 150 W |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRF520NPBF?
O transistor IRF520NPBF possui encapsulamento TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF520NPBF?
A temperatura de operação do IRF520NPBF varia de -55°C a +175°C.
Qual a tensão máxima que pode ser aplicada entre o Gate e a Source do IRF520NPBF?
A tensão Gate: Source máxima (Vgs) do IRF520NPBF é de ±20 V.