Transistor MOSFET IRF510 Infineon: Potência e Eficiência para seus Projetos
O IRF510 da Infineon é um transistor MOSFET de canal N que oferece um excelente equilíbrio entre desempenho, robustez e custo-benefício. Perfeito para uma variedade de aplicações, desde projetos eletrônicos básicos até sistemas mais complexos, este componente garante alta eficiência e confiabilidade.
Especificações Técnicas do IRF510
- Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 100V
- Corrente de Dreno (ID): 5.6A
- Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): 0.54Ω @ VGS = 10V
- Potência Dissipada (PD): 43W
- Encapsulamento: TO-220AB
Características Principais do MOSFET IRF510
Este transistor MOSFET de potência da Infineon se destaca por suas características:
- Baixa Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): Minimiza as perdas de potência e aumenta a eficiência energética.
- Alta Capacidade de Corrente: Permite controlar cargas significativas com facilidade.
- Tempo de Comutação Rápido: Ideal para aplicações que exigem alta velocidade de chaveamento.
- Proteção contra Avalanche: Oferece maior robustez e confiabilidade em condições extremas.
- Encapsulamento TO-220AB: Facilita a dissipação de calor e a montagem em dissipadores.
Aplicações do Transistor IRF510
O IRF510 é um componente versátil, ideal para diversas aplicações, como:
- Fontes de alimentação chaveadas
- Controladores de motor DC
- Circuitos de acionamento de relés
- Sistemas de controle industrial
- Projetos de robótica
- Aplicações automotivas
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Observação: As especificações podem variar. Consulte o datasheet do fabricante para obter informações mais detalhadas sobre o produto.
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