Descrição
Transistor MOSFET de canal P, encapsulamento TO 220, projetado para aplicações de alta corrente e baixa tensão.
Especificações
| Tecnologia | Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | Canal P |
| Tensão Drain | Source (Vds): -55 V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | -74 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 0.024 Ohm @ Vgs = -10V, Id = -74A |
| Encapsulamento | TO-220AB |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Drain Pulsada (Idm) | -300 A |
| Carga de Gate (Qg) | 175 nC @ Vgs = -10V |
| Tempo de Subida (tr) | 25 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 25 ns |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): -2 V a -4 V @ Id = -250 µA |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRF4905SPBF?
O IRF4905SPBF possui encapsulamento TO-220AB.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF4905SPBF?
A temperatura de operação do IRF4905SPBF varia de -55°C a +175°C.
Qual a tensão máxima Drain-Source do IRF4905SPBF?
A tensão máxima Drain-Source (Vds) do IRF4905SPBF é -55V.