Transistor MOSFET IRF4905PBF Infineon
Procurando por um MOSFET de canal P de alta potência e confiabilidade? Apresentamos o IRF4905PBF da Infineon, um componente eletrônico essencial para suas aplicações que exigem alto desempenho.
Especificações Técnicas do IRF4905PBF:
- Tipo de canal: P
- Tensão Dreno-Source (Vds): 55V
- Corrente de Dreno (Id): 74A
- Resistência de Estado Ligado (Rds(on)): 20mΩ
- Potência Dissipada (Pd): 200W
- Encapsulamento: TO-220AB
- Tecnologia: HEXFET® de quinta geração
Características Principais do MOSFET IRF4905PBF
O IRF4905PBF é um transistor MOSFET de canal P que se destaca por sua alta capacidade de corrente e baixa resistência de estado ligado. Essa combinação o torna ideal para aplicações que demandam o controle eficiente de altas cargas, como:
- Controle de motores
- Fontes de alimentação chaveadas
- Circuitos de acionamento
- Sistemas de gerenciamento de bateria
- Conversores de energia
Construído com a avançada tecnologia HEXFET® de quinta geração da Infineon, o IRF4905PBF oferece:
- Baixas perdas de condução
- Alta velocidade de comutação
- Robustez e confiabilidade
Aplicações do IRF4905PBF
O IRF4905PBF é uma escolha versátil para uma ampla gama de projetos eletrônicos, incluindo:
- Controladores de velocidade de motor DC
- Fontes de alimentação ATX
- Carregadores de bateria
- Inversores de energia
- Sistemas de iluminação LED de alta potência
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