Transistor MOSFET IRF3710ZPBF Infineon
Procurando por um MOSFET de potência confiável e eficiente para sua aplicação? Apresentamos o IRF3710ZPBF da Infineon, um componente eletrônico de alta qualidade que oferece excelente desempenho e durabilidade.
Especificações do IRF3710ZPBF:
- Tipo de canal: N
- Tensão Dreno-Source (VDSS): 100V
- Corrente de Dreno (ID): 59A
- Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): 18mΩ
- Carga de Porta (Qg): 82nC
- Dissipação de Potência (PD): 160W
- Temperatura de Operação (Tj): -55°C a +175°C
- Encapsulamento: TO-220AB
Características Principais:
O IRF3710ZPBF é um MOSFET de potência HEXFET® que utiliza tecnologia de processamento avançada para alcançar uma resistência de estado ligado ultrabaixa. Isso resulta em menor dissipação de energia e maior eficiência em suas aplicações.
Além disso, o IRF3710ZPBF possui:
- Alta velocidade de comutação
- Capacidade de avalanche repetitiva
- Temperatura de operação de até 175°C
Aplicações:
Este MOSFET é ideal para uma variedade de aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação chaveadas
- Conversores DC-DC
- Controladores de motor
- Circuitos de acionamento de relés
- Aplicações automotivas
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