Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de alta frequência e gerenciamento de energia.
Especificações
| Tecnologia | Super Junction |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | 57A |
| Corrente de Drain Pulsada (Idm) | 228A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 16mΩ a Vgs=10V |
| Carga de Gate Total (Qg) | 70nC a Vgs=10V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 1600pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 300pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 100pF |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Package | TO-220 |
| RoHS Compliant | Sim |
FAQ
Qual a temperatura de operação do IRF3710ZPBF?
O IRF3710ZPBF opera em temperaturas que variam de -55°C a +175°C.
Qual a tensão máxima que o IRF3710ZPBF pode suportar?
O IRF3710ZPBF possui uma tensão Drain: Source (Vds) de 60V e uma tensão Gate: Source (Vgs) de ±20V.
Qual o tipo de encapsulamento do IRF3710ZPBF e se ele é RoHS Compliant?
O IRF3710ZPBF é encapsulado em TO-220 e é RoHS Compliant.