Transistor MOSFET IRF3710PBF Infineon – Alta Potência e Eficiência
Procurando por um MOSFET de alta potência e performance para seu projeto? Apresentamos o IRF3710PBF da Infineon, um componente que oferece excelente desempenho em diversas aplicações.
Especificações Técnicas do IRF3710PBF:
- Tipo de Canal: N-Channel
- Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 100V
- Corrente de Dreno (ID): 57A
- Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): 23mΩ
- Tempo de Aumento (tr): 33ns
- Tempo de Queda (tf): 46ns
- Carga do Gate (Qg): 86.7nC
- Dissipação de Potência (PD): 200W
- Temperatura de Operação (TJ): -55°C a +175°C
- Encapsulamento: TO-220AB
Características Principais do MOSFET IRF3710PBF:
O IRF3710PBF é um transistor MOSFET de potência que se destaca por suas características:
- Baixa Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): garante menor perda de potência e maior eficiência energética.
- Alta Capacidade de Corrente: ideal para aplicações que exigem alta potência.
- Tempo de Comutação Rápido: proporciona melhor desempenho em circuitos de alta frequência.
- Robustez e Confiabilidade: suporta altas temperaturas e picos de corrente, garantindo longa vida útil.
Aplicações do IRF3710PBF:
Graças ao seu excelente desempenho, o IRF3710PBF pode ser utilizado em uma ampla gama de aplicações, como:
- Fontes de Alimentação Chaveadas (SMPS)
- Conversores CC-CC
- Controladores de Motor
- Inversores de Frequência
- Sistemas de Iluminação
- Aplicações Automotivas
Encontre o IRF3710PBF na Mokka Sensors:
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A Mokka-Sensors não trabalha apenas com o Infineon IRF3710PBF e você é muito bem vindo a conhecer os outros produtos do nosso catálogo!
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