Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de alta frequência e gerenciamento de energia.
Especificações
| Tecnologia | Super Junction |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 57A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 16mOhm a 10Vgs |
| Tensão de Gate | Source (Vgs): ±20V |
| Package | TO-220 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Carga de Gate (Qg) | 55nC |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 1300pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 350pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 100pF |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 228A |
| Dissipação de Potência (Pd) | 150W |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IRF3710PBF pode suportar?
O IRF3710PBF possui uma tensão Drain:Source (Vds) de 60V e uma tensão de Gate:Source (Vgs) de ±20V.
Em qual faixa de temperatura o IRF3710PBF pode operar?
O IRF3710PBF pode operar em temperaturas que variam de -55°C a +175°C.
Quais são as principais características elétricas do IRF3710PBF?
O IRF3710PBF é um MOSFET de canal N com uma corrente contínua de Drain (Id) de 57A, resistência Drain:Source (Rds(on)) de 16mOhm a 10Vgs, carga de Gate (Qg) de 55nC, capacitância de Entrada (Ciss) de 1300pF, capacitância de Saída (Coss) de 350pF, capacitância de Transferência Inversa (Crss) de 100pF, e corrente de Dreno Pulsada (Idm) de 228A. Sua dissipação de potência (Pd) é de 150W.