Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 60V, 110A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento TO 220.
Especificações
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 60V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 110A |
| Resistência Dreno | Fonte (RDS(on)): 0.012 Ohm (Vgs=10V, Id=110A) |
| Tensão de Threshold (Vgs(th)) | 2V a 4V (Id=250uA) |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 3300pF (Vds=25V, Vgs=0V, f=1MHz) |
| Capacitância de Saída (Coss) | 750pF (Vds=25V, Vgs=0V, f=1MHz) |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 450pF (Vds=25V, Vgs=0V, f=1MHz) |
| Tempo de Subida (tr) | 15ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10ns |
| Encapsulamento | TO-220 |
| RoHS Compliant | Sim (PBF indica Lead-Free) |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRF3315PBF?
O IRF3315PBF possui encapsulamento TO-220.
Qual a tensão máxima que o IRF3315PBF suporta no dreno?
A tensão Dreno-Fonte (Vds) máxima do IRF3315PBF é de 60V.
Qual a corrente máxima que o IRF3315PBF pode conduzir?
A corrente de Dreno Contínua (Id) máxima do IRF3315PBF é de 110A.