Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 30V, 110A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento TO 220.
Especificações
| Tecnologia | Super Junction |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 30V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 110A |
| Resistência Dreno | Fonte (RDS(on)): 8.5mOhm @ Vgs=10V |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 2V @ Id=250uA |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 440A |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 2300pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 470pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 200pF |
| Encapsulamento | TO-220 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
Recursos
- RoHS Compliant
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor IRF3205ZPBF?
O IRF3205ZPBF possui encapsulamento TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF3205ZPBF?
A temperatura de operação do IRF3205ZPBF é de -55°C a +175°C.
Qual a tensão de dreno-fonte máxima do IRF3205ZPBF?
A tensão de dreno-fonte (Vds) máxima do IRF3205ZPBF é de 30V.