Infineon IRF2804SPBF

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Infineon IRF2804SPBF: MOSFET de Potência de Alta Performance

O IRF2804SPBF é um MOSFET de potência N-Channel HEXFET® da Infineon Technologies, projetado para aplicações que exigem alta eficiência e confiabilidade. Este componente de última geração utiliza tecnologias avançadas de processamento para alcançar uma resistência extremamente baixa no estado ligado (RDS(on)), tornando-o ideal para uma variedade de aplicações, desde fontes de alimentação chaveadas até controladores de motor.

Especificações Técnicas do IRF2804SPBF

  • Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 40V
  • Corrente de Dreno Contínua (ID): 75A
  • Resistência no Estado Ligado (RDS(on)): 2.3mΩ
  • Carga de Porta Total (Qg): 160nC
  • Tempo de Subida (tr): 35ns
  • Tempo de Descida (tf): 27ns
  • Dissipação de Potência (PD): 160W
  • Temperatura de Operação (TJ): -55°C a +175°C
  • Encapsulamento: D2PAK

Características e Benefícios do IRF2804SPBF

O IRF2804SPBF oferece uma série de vantagens que o tornam uma escolha superior para suas necessidades de projeto:

  • Baixa Resistência no Estado Ligado (RDS(on)): Minimiza as perdas de condução e aumenta a eficiência energética.
  • Alta Capacidade de Corrente: Permite o controle de cargas de alta potência.
  • Tempo de Comutação Rápido: Reduz as perdas de comutação e melhora o desempenho geral.
  • Operação em Alta Temperatura: Garante confiabilidade em ambientes exigentes.
  • Encapsulamento D2PAK: Oferece excelente dissipação térmica e facilidade de montagem.

Aplicações do MOSFET IRF2804SPBF

O IRF2804SPBF é uma solução versátil para diversas aplicações, incluindo:

  • Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
  • Controladores de motor DC/DC
  • Conversores de energia
  • Gerenciamento de bateria
  • Aplicações automotivas

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Observação: As especificações podem variar. Consulte a folha de dados do fabricante para obter informações detalhadas sobre o produto.

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