Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de alta frequência e gerenciamento de energia.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 2 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 40V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 82A |
| Corrente Drain Pulsada (Idm) | 328A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 4.3mΩ (Vgs=10V, Id=25A) |
| Tensão de Threshold (Vgs(th)) | 2V (Id=250µA) |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 2000pF (Vds=25V, Vgs=0V, f=1MHz) |
| Capacitância de Saída (Coss) | 700pF (Vds=25V, Vgs=0V, f=1MHz) |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 200pF (Vds=25V, Vgs=0V, f=1MHz) |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Package | TO-263 (D2PAK) |
| Encapsulamento | Lead-free |
| Certificação RoHS | Sim |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IRF2804SPBF e ele possui certificação RoHS?
O IRF2804SPBF possui encapsulamento TO-263 (D2PAK) e é lead-free. Sim, possui certificação RoHS.
Quais são os limites de temperatura de operação do IRF2804SPBF?
O IRF2804SPBF opera em temperaturas que variam de -55°C a +175°C.
Qual a tensão máxima Drain-Source e a corrente contínua que o IRF2804SPBF suporta?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima do IRF2804SPBF é 40V, e a corrente Drain contínua (Id) máxima é 82A.