Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de potência.
Especificações
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 55V |
| Corrente Contínua de Drain (Id) | 166A |
| Corrente Pulsada de Drain (Idm) | 664A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 4.5mΩ (Vgs=10V, Id=100A) |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 2.0V (Id=250µA) |
| Potência Dissipada (Pd) | 300W |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Encapsulamento | TO-220AB |
| Polaridade | Canal N |
| Aplicações | Fontes de alimentação, inversores, controle de motor |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRF1405PBF?
O IRF1405PBF possui encapsulamento TO-220AB.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF1405PBF?
A temperatura de operação do IRF1405PBF varia de -55°C a +175°C.
Quais são as aplicações típicas do IRF1405PBF?
As aplicações típicas do IRF1405PBF incluem fontes de alimentação, inversores e controle de motor.