Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de potência.
Especificações
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 40V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | 160A |
| Corrente de Drain Pulsada (Idm) | 640A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 4.5mΩ (Vgs=10V, Id=100A) |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 2V a 4V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 3800pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 1100pF |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 550pF |
| Tempo de Subida (tr) | 15ns |
| Tempo de Descida (tf) | 30ns |
| Package | TO-220AB |
| Faixa de Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IRF1404PBF pode suportar entre o Drain e o Source?
A tensão máxima Drain-Source (Vds) suportada pelo IRF1404PBF é de 40V.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF1404PBF?
O IRF1404PBF opera em uma faixa de temperatura que vai de -55°C a +175°C.
Quais são as principais características elétricas do IRF1404PBF?
O IRF1404PBF é um MOSFET com tecnologia HEXFET. Possui corrente de Drain contínua (Id) de 160A, corrente de Drain pulsada (Idm) de 640A, resistência Drain-Source (Rds(on)) de 4.5mΩ (Vgs=10V, Id=100A), e capacitância de Entrada (Ciss) de 3800pF.