Transistor MOSFET IRF1310NPBF Infineon
Procurando por um MOSFET de canal N confiável e eficiente para sua aplicação? Apresentamos o IRF1310NPBF da Infineon, um componente de alta qualidade que oferece excelente desempenho e durabilidade.
Especificações Técnicas do IRF1310NPBF:
- Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 100V
- Corrente de Dreno Contínua (ID): 42A
- Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): 36mΩ
- Carga de Porta (Qg): 73.3nC
- Tempo de Subida (tr): 35ns
- Tempo de Descida (tf): 27ns
- Dissipação de Potência (PD): 160W
- Temperatura de Operação (Tj): -55°C a +150°C
- Encapsulamento: TO-220AB
Aplicações do MOSFET IRF1310NPBF:
O IRF1310NPBF é um transistor MOSFET versátil, ideal para diversas aplicações, como:
- Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
- Controladores de motor
- Conversores DC-DC
- Circuitos de acionamento de relés
- Sistemas de iluminação
- Aplicações automotivas
Benefícios do IRF1310NPBF:
Este MOSFET oferece uma série de vantagens que o tornam uma escolha inteligente para seus projetos:
- Baixa resistência de estado ligado, resultando em menor dissipação de potência e maior eficiência.
- Alta capacidade de corrente, permitindo o controle de cargas significativas.
- Tempo de comutação rápido, garantindo operação eficiente em altas frequências.
- Encapsulamento TO-220AB robusto, proporcionando confiabilidade e durabilidade.
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