Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de potência em sistemas industriais e automotivos.
Especificações
| Tecnologia | HEXFET Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 100 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 130 A |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 520 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Dreno | Source (Rds(on)): 0.0075 Ohm @ Vgs = 10V |
| Carga de Gate Total (Qg) | 175 nC @ Vgs = 10V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 3800 pF @ Vds = 25V |
| Capacitância de Saída (Coss) | 1100 pF @ Vds = 25V |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 350 pF @ Vds = 25V |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Encapsulamento | TO-247 |
| RoHS Compliant | Sim |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRF1310NPBF?
O IRF1310NPBF é encapsulado em TO-247.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF1310NPBF?
O IRF1310NPBF pode operar em temperaturas de -55°C a +175°C.
Qual a tensão máxima de dreno-fonte (Vds) e corrente de dreno contínua (Id) do IRF1310NPBF?
A tensão de dreno-fonte (Vds) máxima do IRF1310NPBF é 100V, e a corrente de dreno contínua (Id) é 130A.