Infineon IRF1010NSTRLPBF

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Infineon IRF1010NSTRLPBF: Mosfet de Alta Eficiência

O Infineon IRF1010NSTRLPBF é um transistor MOSFET desenvolvido para aplicações que exigem alta eficiência e desempenho confiável. Este componente é amplamente utilizado em circuitos de potência, devido à sua baixa resistência de condução e capacidade de lidar com altas correntes. Com especificações técnicas robustas e uma construção de alta qualidade, ele se destaca como uma escolha ideal para projetos exigentes, sendo amplamente adotado em setores como automotivo, industrial e eletrônico.

Especificações Técnicas do Infineon IRF1010NSTRLPBF

  • Tecnologia: MOSFET de canal N.
  • Resistência RDS(on): 12 mΩ (máx) a 10 V.
  • Tensão de Drenagem-Fonte (VDS): até 60 V.
  • Corrente de Drenagem (ID): 84 A em condições específicas.
  • Capacitância de Entrada: 2300 pF (típico).
  • Temperatura Operacional: -55°C a 175°C.
  • Encapsulamento: TO-252 (DPAK) para montagem em superfície.

O IRF1010NSTRLPBF é conhecido por sua eficiência energética, especialmente em aplicações que exigem altas correntes e baixas perdas. Ele também oferece uma excelente resistência a transientes térmicos, tornando-o adequado para ambientes operacionais extremos.

Aplicações Comuns

Este MOSFET é amplamente utilizado em diversas aplicações, incluindo:

  • Fontes de alimentação chaveadas (SMPS).
  • Conversores DC-DC de alta eficiência.
  • Controladores de motor em equipamentos industriais.
  • Sistemas automotivos, como controle de ignição e gestão de energia.

A versatilidade do IRF1010NSTRLPBF permite que ele seja integrado em diferentes projetos, desde dispositivos de consumo até equipamentos de alta potência. Sua confiabilidade o torna uma solução confiável para profissionais que buscam desempenho e durabilidade.

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Infineon IRF1010NSTRLPBF

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