Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 55V, 12A, TO 220. Projetado para aplicações de comutação de alta eficiência.
Especificações
| Tecnologia | Power MOSFET |
|---|---|
| Tipo de Canal | N-Channel |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 55 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 12 A |
| Tensão de Gate | Fonte (Vgs): ±20 V |
| Resistência Dreno | Fonte (Rds(on)): 0.08 Ohm @ Vgs = 10V |
| Tensão de Threshold (Vgs(th)) | 2 V |
| Encapsulamento | TO-220 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +175°C |
| Corrente de Dreno Pulsada (Idm) | 48 A |
| Carga de Gate (Qg) | 25 nC |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns |
FAQ
Qual o encapsulamento do IRF100B201?
O IRF100B201 é encapsulado em TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do IRF100B201?
A temperatura de operação do IRF100B201 varia de -55°C a +175°C.
Qual a corrente máxima de dreno que o IRF100B201 suporta?
A corrente de dreno contínua (Id) do IRF100B201 é de 12A, e a corrente de dreno pulsada (Idm) é de 48 A.