Infineon IRF100B201: MOSFET de Potência N-Channel 100V
O IRF100B201 da Infineon é um MOSFET de potência N-Channel de 100V, ideal para aplicações que exigem alta corrente e baixo RDS(on). Com um encapsulamento TO-220AB, este transistor oferece excelente desempenho em projetos de comutação de alta potência, fontes de alimentação, inversores e muito mais. Descubra as vantagens e especificações deste componente essencial para suas necessidades eletrônicas.
Especificações Técnicas do IRF100B201
- Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 100V
- Corrente de Dreno Contínua (ID): 192A
- Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): 4.2mΩ @ VGS = 10V
- Capacitância de Entrada (Ciss): 4700pF
- Encapsulamento: TO-220AB
- Temperatura de Junção (Tj): -55°C a +175°C
Características Principais do MOSFET IRF100B201
Este MOSFET de potência da Infineon oferece uma série de vantagens que o tornam uma escolha confiável e eficiente para suas aplicações:
- Baixa resistência de estado ligado (RDS(on)), resultando em menor dissipação de potência e maior eficiência.
- Alta capacidade de corrente, permitindo o uso em aplicações de alta potência.
- Tempo de comutação rápido, ideal para aplicações de alta frequência.
- Encapsulamento TO-220AB robusto e amplamente utilizado, facilitando a montagem e a dissipação de calor.
- Excelente relação custo-benefício.
Aplicações do IRF100B201
O IRF100B201 da Infineon é um componente versátil que pode ser utilizado em diversas aplicações, como:
- Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
- Conversores DC-DC
- Inversores de frequência
- Controladores de motor
- Sistemas de aquecimento por indução
- Carregadores de bateria
- Aplicações automotivas
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Observação: As especificações podem variar. Consulte o datasheet oficial do fabricante para obter informações mais detalhadas sobre o IRF100B201.
A Mokka-Sensors não trabalha apenas com o Infineon IRF100B201 e você é muito bem vindo a conhecer os outros produtos do nosso catálogo!
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