Descrição
Driver de gate de alta e baixa tensão para aplicações de semicondutores de potência. Projetado para acionar MOSFETs e IGBTs em fontes de alimentação chaveadas e inversores.
Especificações
| Encapsulamento SOIC | 8 |
|---|---|
| Faixa de temperatura de operação | 40°C a +125°C |
| Tensão de alimentação | 10V a 20V |
Recursos
- Tensão de saída de gate de 10V a 20V
- Corrente de pico de gate de ±2.5A
- Tempo de propagação de 100ns (típico)
- Proteção contra subtensão (UVLO)
- Circuito de bloqueio de baixa corrente de bootstrap
- Tecnologia HVIC (High Voltage Integrated Circuit)
- Saída de gate independente para alta e baixa tensão
FAQ
Qual o encapsulamento do IR21834STRPBF?
O IR21834STRPBF possui encapsulamento SOIC de 8 pinos.
Qual a faixa de temperatura de operação do IR21834STRPBF?
A faixa de temperatura de operação do IR21834STRPBF é de -40°C a +125°C.
Quais as principais características de proteção do IR21834STRPBF?
O IR21834STRPBF possui proteção contra subtensão (UVLO) e um circuito de bloqueio de baixa corrente de bootstrap.