Descrição
Transistor MOSFET de potência de carbureto de silício (SiC) de 650V, 80mΩ, em encapsulamento TO 247, projetado para aplicações de alta eficiência e alta frequência.
Especificações
| Tecnologia | CoolSiC™ MOSFET |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 650 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 80 mΩ |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 46 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Encapsulamento | TO-247 |
Recursos
- Diodo de Ruptura Rápida Integrado (CFD)
- Baixa Capacitância de Saída (Coss)
- Baixa Carga de Gate (Qg)
- Alta Densidade de Potência
- Ideal para fontes de alimentação chaveadas, inversores solares e carregadores de veículos elétricos.
FAQ
Qual o encapsulamento do MOSFET IPW65R080CFD?
O MOSFET IPW65R080CFD da Infineon utiliza o encapsulamento TO-247.
Quais as aplicações típicas do IPW65R080CFD?
O IPW65R080CFD é ideal para fontes de alimentação chaveadas, inversores solares e carregadores de veículos elétricos.
Qual a tensão Drain-Source e a corrente contínua do IPW65R080CFD?
A tensão Drain-Source (Vds) do IPW65R080CFD é de 650 V e a corrente Drain contínua (Id) é de 46 A.