Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 60A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) para aplicações de alta eficiência.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS C6 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 60 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 70 mOhm a 10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 3 V |
| Corrente de Dreno Pulsada (Id_pulsada) | 240 A |
| Potência Dissipada (Pd) | 303 W |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 150 °C |
| Package | TO-247 |
| Encapsulamento | Plástico |
| Tipo de Canal | N |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas, inversores solares, carregadores de bateria. |
FAQ
Qual o encapsulamento do MOSFET IPW60R070C6?
O MOSFET IPW60R070C6 possui encapsulamento TO-247, feito de plástico.
Qual a faixa de temperatura de operação do IPW60R070C6?
A temperatura de operação do IPW60R070C6 varia de -55 °C a 150 °C.
Quais as aplicações típicas do IPW60R070C6?
O IPW60R070C6 é utilizado em fontes de alimentação chaveadas, inversores solares e carregadores de bateria.