Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 65A, com baixa resistência Rds(on) para aplicações de alta eficiência.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS™ P7 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 65 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 45 mΩ a 10Vgs |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Corrente Gate (Ig) | 200 A |
| Potência Dissipada (Pd) | 303 W |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 150 °C |
| Package | TO-247 |
| Tipo de Canal | N |
| Aplicações | Fontes de alimentação comutadas (SMPS), PFC, inversores solares, carregadores de veículos elétricos. |
FAQ
Qual a temperatura máxima de operação do IPW60R045CP?
A temperatura de operação do IPW60R045CP varia de -55 °C a 150 °C.
Quais as aplicações típicas do IPW60R045CP?
O IPW60R045CP é indicado para aplicações como fontes de alimentação comutadas (SMPS), PFC, inversores solares e carregadores de veículos elétricos.
Qual a tensão máxima entre Drain e Source do IPW60R045CP?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima do IPW60R045CP é de 600 V.