Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 60A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) para aplicações de alta eficiência.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS C6 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 60 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 41 mOhm a 10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V |
| Corrente de Drain Pulsada (Id,pulse) | 240 A |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 1700 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 150 pF |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 15 pF |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 150 °C |
| Package | TO-247 |
| Dissipação de Potência (Pd) | 303 W |
| Tempo de Subida (tr) | 10 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 8 ns |
FAQ
Qual a tensão máxima que o MOSFET IPW60R041C6 pode suportar?
A tensão máxima Drain:Source (Vds) suportada pelo IPW60R041C6 é de 600 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do IPW60R041C6?
O IPW60R041C6 opera em uma faixa de temperatura de -55 °C a 150 °C.
Quais as principais características de corrente e resistência do IPW60R041C6?
Este MOSFET suporta uma corrente Drain contínua (Id) de 60 A, com uma resistência Drain:Source (RDS(on)) de 41 mOhm a 10V. A corrente de Drain Pulsada (Id,pulse) é de 240 A.