Transistor MOSFET IPP60R299CP Infineon
Procurando por um transistor MOSFET de alta qualidade e confiabilidade para sua aplicação? Apresentamos o IPP60R299CP da Infineon, um componente eletrônico de potência que oferece excelente desempenho e eficiência energética.
Especificações Técnicas do IPP60R299CP:
- Tipo de Transistor: MOSFET N-Channel
- Tensão Drain-Source (Vds): 600V
- Corrente de Dreno (Id): 11A
- Resistência Drain-Source (Rds(on)): 0.299Ω
- Potência Dissipada (Pd): 96W
- Tensão Gate-Source (Vgs): 20V
- Encapsulamento: TO-220
Características do MOSFET IPP60R299CP
O IPP60R299CP é um transistor MOSFET CoolMOS™ CP de quinta geração, projetado para topologias de chaveamento rígido e suave, como PFC CCM e PWM para adaptadores de notebook, TVs LCD e PDP, e aplicações ATX. Este componente oferece uma série de vantagens, incluindo:
- Baixa resistência de condução (Rds(on)), resultando em menor dissipação de energia e maior eficiência.
- Alta capacidade de corrente, tornando-o ideal para aplicações de alta potência.
- Excelente robustez e confiabilidade, garantindo longa vida útil e operação estável.
- Encapsulamento TO-220, amplamente utilizado e de fácil montagem.
Aplicações do Transistor Infineon IPP60R299CP
O Infineon IPP60R299CP é uma escolha versátil para diversas aplicações, como:
- Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
- Conversores de energia
- Controladores de motor
- Inversores
- Aplicações de iluminação
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