Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 299mOhm, projetado para aplicações de alta eficiência em fontes de alimentação.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS™ P7 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 299 mOhm a 10V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 17 A a 25°C |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V |
| Corrente de Drain Pulsada (Id,pulse) | 68 A |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 750 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 100 pF |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 15 pF |
| Tempo de Subida (tr) | 10 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 7 ns |
| Package | PG-TO263-3-1 |
| Temperatura de Operação | -55°C a 150°C |
FAQ
Qual a tensão máxima que o MOSFET IPP60R299CP pode suportar?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima suportada pelo IPP60R299CP é de 600 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do IPP60R299CP?
O IPP60R299CP pode operar em temperaturas que variam de -55°C a 150°C.
Quais são as principais características elétricas do IPP60R299CP?
O IPP60R299CP possui uma resistência Drain-Source (Rds(on)) de 299 mOhm a 10V, corrente Drain Contínua (Id) de 17 A a 25°C e corrente de Drain Pulsada (Id,pulse) de 68 A. A tensão Gate-Source (Vgs) é de ±20 V e a tensão de limiar Gate-Source (Vgs(th)) é de 2.5 V.