Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 280mΩ, com tecnologia CoolMOS P7, encapsulado em TO 220FP.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS P7 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 280 mΩ a Vgs=10V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | 18 A a Tc=25°C |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V (típico) |
| Corrente de Drain Pulsada (Id,pulse) | 72 A |
| Energia de Avalanche Única (EAS) | 180 mJ |
| Encapsulamento | TO-220FP |
| Temperatura de Operação | -55°C a 150°C |
| Diodo de Recuperação Rápida Integrado | Sim |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas (SMPS), fontes de alimentação de servidor, fontes de alimentação de PC, adaptadores, iluminação LED. |
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor IPP60R280P7XKSA1?
O transistor IPP60R280P7XKSA1 possui encapsulamento TO-220FP.
Qual a faixa de temperatura de operação do IPP60R280P7XKSA1?
A temperatura de operação do IPP60R280P7XKSA1 está entre -55°C e 150°C.
Quais as aplicações típicas do IPP60R280P7XKSA1?
As aplicações típicas do IPP60R280P7XKSA1 incluem fontes de alimentação chaveadas (SMPS), fontes de alimentação de servidor, fontes de alimentação de PC, adaptadores e iluminação LED.