Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 250mΩ, projetado para aplicações de alta eficiência em fontes de alimentação.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS™ P7 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 250 mΩ |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 13 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V |
| Corrente de Dreno Pulsada (Id,pulse) | 52 A |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 780 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 100 pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 15 pF |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 150 °C |
| Package | PG-TO220FP |
| Certificação | AEC-Q101 |
FAQ
Qual a tensão máxima que o MOSFET IPP60R250CP pode suportar?
O MOSFET IPP60R250CP suporta uma tensão Drain-Source (Vds) de 600 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do IPP60R250CP?
A temperatura de operação do IPP60R250CP varia de -55 °C a 150 °C.
Quais as características elétricas principais do IPP60R250CP?
O IPP60R250CP possui uma resistência Drain-Source (Rds(on)) de 250 mΩ, corrente Drain Contínua (Id) de 13 A, e uma tensão Gate-Source (Vgs) de ±20 V.