Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 20A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) para aplicações de alta eficiência.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS™ P7 |
|---|---|
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 600 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) a 25°C | 20 A |
| Resistência Dreno | Fonte (RDS(on)) a 10V, 12A: 99 mΩ |
| Tensão de Limiar Dreno | Fonte (Vgs(th)) a 250µA: 3 V |
| Tensão Gate | Source (Vgs) Máxima: ±20 V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) Típica | 1050 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) Típica | 110 pF |
| Capacitância de Transferência (Crss) Típica | 15 pF |
| Temperatura de Operação | -55°C a 150°C |
| Package | PG-TO220-3 |
| Corrente de Dreno Pulsada (Id,pulse) | 80 A |
| Dissipação de Potência (Pd) a 25°C | 250 W |
FAQ
Qual a tensão máxima que o MOSFET IPP60R099CP pode suportar?
A tensão Dreno-Fonte (Vds) máxima é de 600 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do IPP60R099CP?
O IPP60R099CP opera em temperaturas de -55°C a 150°C.
Quais são as principais características elétricas do IPP60R099CP?
O IPP60R099CP possui uma corrente de dreno contínua (Id) de 20 A a 25°C, resistência Dreno-Fonte (RDS(on)) de 99 mΩ (a 10V, 12A), e tensão de limiar (Vgs(th)) de 3 V.