Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 500V, 190mΩ, projetado para aplicações de alta eficiência em fontes de alimentação.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS C7 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 500 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 190 mΩ a Vgs = 10V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 26 A a Tc = 25°C |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Corrente Gate (Ig) | ±200 mA |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
| Package | PG-TO220-3 |
| Encapsulamento | Plástico |
| Aplicações | Fontes de alimentação comutadas (SMPS), fontes de alimentação de servidor, fontes de alimentação de telecomunicações, PFC ativo. |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IPP50R190CEXKSA1?
O IPP50R190CEXKSA1 possui encapsulamento em plástico, no package PG-TO220-3.
Qual a faixa de temperatura de operação do IPP50R190CEXKSA1?
A temperatura de operação do IPP50R190CEXKSA1 varia de -55°C a +150°C.
Quais as aplicações típicas do IPP50R190CEXKSA1?
O IPP50R190CEXKSA1 é projetado para aplicações como fontes de alimentação comutadas (SMPS), fontes de alimentação de servidor, fontes de alimentação de telecomunicações e PFC ativo.