Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance da série OptiMOS™ 3, projetado para aplicações de gerenciamento de energia automotiva.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 3.7 mΩ a Vgs = 10 V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V |
| Corrente Gate | Source Pulsada (Id,pulse): 800 A |
| Package | PG-TO263-3-1 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 175 °C |
Recursos
- AEC Q101 qualificado
- Baixa carga de gate (Qg)
- Baixa carga de drain (Qgd)
- Baixa carga de comutação (Qg,th)
FAQ
Qual a temperatura de operação do MOSFET IPP037N06L3G?
O MOSFET IPP037N06L3G opera em temperaturas entre -55 °C e 175 °C.
Qual a tensão máxima que o IPP037N06L3G pode suportar no terminal Drain-Source?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima suportada pelo IPP037N06L3G é de 60 V.
Quais as principais características de desempenho do IPP037N06L3G?
O IPP037N06L3G, baseado na tecnologia OptiMOS™ 3, possui baixa carga de gate (Qg), baixa carga de drain (Qgd) e baixa carga de comutação (Qg,th), além de ser qualificado AEC Q101.