Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 75V, 100A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento PG TO263 3 para aplicações de alta eficiência.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 75 V |
| Corrente Contínua Drain (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 3.4 mOhm a Vgs=10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Encapsulamento | PG-TO263-3 |
| Temperatura de Operação | -55°C a 175°C |
Recursos
- Baixa carga de gate (Qg)
- Baixa carga de drain (Qgd)
- Alta eficiência
- RoHS compliant
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor IPP034NE7N3GXKSA1?
O transistor IPP034NE7N3GXKSA1 possui encapsulamento PG-TO263-3.
Qual a faixa de temperatura de operação do IPP034NE7N3GXKSA1?
A temperatura de operação do IPP034NE7N3GXKSA1 varia de -55°C a 175°C.
Quais as principais características do IPP034NE7N3GXKSA1 para alta eficiência?
O IPP034NE7N3GXKSA1 oferece alta eficiência devido a baixa resistência Drain-Source (RDS(on)) e baixa carga de gate (Qg) e drain (Qgd), além de ser RoHS compliant.