Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 75V, 100A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento PG TDSON 8. Projetado para aplicações de alta eficiência.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tipo de canal | N |
| Tensão Drain | Source (Vds): 75 V |
| Corrente Contínua Drain (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 2.3 mOhm a Vgs=10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de Operação | -55 a 175 °C |
Recursos
- Baixa carga de gate
- Alta densidade de potência
- RoHS Compliant
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor IPP023NE7N3GXKSA1?
O transistor IPP023NE7N3GXKSA1 possui encapsulamento PG-TDSON-8.
Qual a faixa de temperatura de operação do IPP023NE7N3GXKSA1?
A temperatura de operação do IPP023NE7N3GXKSA1 é de -55 a 175 °C.
Quais são as principais características do IPP023NE7N3GXKSA1?
O IPP023NE7N3GXKSA1 é um MOSFET de canal N com baixa carga de gate, alta densidade de potência e é RoHS Compliant.