Infineon IPP023NE7N3GXKSA1: MOSFET de Potência de Alta Performance
Procurando por um MOSFET de potência confiável e eficiente para sua aplicação? Apresentamos o Infineon IPP023NE7N3GXKSA1, um transistor MOSFET de canal N de 75V e 120A que oferece excelente desempenho e confiabilidade.
Especificações Técnicas do IPP023NE7N3GXKSA1
- Tipo de Transistor: MOSFET Canal N
- Tensão Dreno-Fonte (Vds): 75V
- Corrente de Dreno (Id): 120A
- Resistência de Estado Ligado (Rds(on)): 2.3mΩ
- Potência de Dissipação (Pd): 300W
- Encapsulamento: PG-TO220-3-1
- Tecnologia: OptiMOS™ 3
Características Principais
O IPP023NE7N3GXKSA1 é um MOSFET de potência de última geração que oferece uma série de vantagens, incluindo:
- Baixa Resistência de Estado Ligado (Rds(on)): Minimiza as perdas de condução e aumenta a eficiência energética.
- Alta Capacidade de Corrente: Permite o controle de cargas de alta potência.
- Excelente Desempenho Térmico: Oferece maior confiabilidade e vida útil prolongada.
- Encapsulamento Robusto: Garante durabilidade e resistência em ambientes desafiadores.
Aplicações
Este MOSFET de potência é ideal para uma variedade de aplicações, como:
- Fontes de Alimentação Chaveadas (SMPS)
- Conversores DC-DC
- Controladores de Motor
- Aplicações Automotivas
- Sistemas de Iluminação
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A Mokka-Sensors não trabalha apenas com o Infineon IPP023NE7N3GXKSA1 e você é muito bem vindo a conhecer os outros produtos do nosso catálogo!
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