Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance da série OptiMOS™ 5, projetado para aplicações de gerenciamento de energia automotiva.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 80 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 2.3 mΩ a Vgs = 10 V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de Operação | -40 °C a 175 °C |
| Aplicações | Gerenciamento de energia automotiva, sistemas de 48V |
| Certificação AEC | Q101 |
Recursos
- Baixa carga de gate (Qg)
- Baixa carga de comutação (Qoss)
- Baixa carga de recuperação reversa (Qrr)
FAQ
Qual a tensão máxima que este MOSFET pode suportar?
O Infineon IPP023N08N5AKSA1 possui uma tensão Drain: Source (Vds) de 80 V.
Em quais temperaturas este componente pode operar?
Este MOSFET opera em temperaturas que variam de -40 °C a 175 °C.
Quais as principais aplicações deste MOSFET?
O IPP023N08N5AKSA1 é projetado para gerenciamento de energia automotiva e sistemas de 48V, com certificação AEC-Q101.