Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 199mOhm, projetado para aplicações de alta eficiência em fontes de alimentação.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS™ P7 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 199 mOhm a 10V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 23 A a 25°C |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V (típico) |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 1100 pF (típico) |
| Capacitância de Saída (Coss) | 100 pF (típico) |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 15 pF (típico) |
| Corrente de Drain Pulsada (Id,pulse) | 92 A |
| Potência Dissipada (Ptot) | 250 W a 25°C |
| Package | PG-TO263-3-1 |
| Faixa de Temperatura de Operação | -55°C a 150°C |
FAQ
Qual a tensão máxima que o MOSFET IPL60R199CP pode suportar?
O MOSFET IPL60R199CP suporta uma tensão Drain-Source (Vds) de 600 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do IPL60R199CP?
A faixa de temperatura de operação do IPL60R199CP é de -55°C a 150°C.
Qual o encapsulamento e qual a corrente contínua máxima do IPL60R199CP?
O IPL60R199CP possui encapsulamento PG-TO263-3-1 e a corrente Drain contínua (Id) é de 23 A a 25°C.