Infineon IPL60R199CP: MOSFET de Potência CoolMOS™ CP de 600V
O Infineon IPL60R199CP é um MOSFET de potência da série CoolMOS™ CP que oferece alto desempenho e eficiência para aplicações de comutação de alta velocidade. Com uma tensão de ruptura de 600V e uma corrente de dreno de 16A, este componente é ideal para projetos em que a confiabilidade e a eficiência energética são essenciais.
Especificações Técnicas do IPL60R199CP:
- Tecnologia CoolMOS™ CP de quinta geração
- Tensão de ruptura de dreno-fonte (VDSS): 600V
- Corrente de dreno contínua (ID): 16A
- Resistência de estado ligado (RDS(on)): 0.199Ω
- Carga de porta ultrabaixa (Qg): 32nC
- Capacitância de entrada (Ciss): 800pF
- Dissipação de potência (Ptot): 130W
- Temperatura de operação (Tj): -55°C a +150°C
- Encapsulamento ThinPAK-4
Aplicações do MOSFET Infineon IPL60R199CP:
Graças ao seu desempenho excepcional e características avançadas, o IPL60R199CP pode ser utilizado em uma ampla gama de aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
- Conversores CC-CC
- Inversores solares
- Controladores de motor
- Aplicações de iluminação
- Eletrônica de consumo
- Telecomunicações
- Computadores e servidores
Benefícios do CoolMOS™ CP IPL60R199CP:
O MOSFET IPL60R199CP oferece uma série de vantagens em relação aos MOSFETs tradicionais, como:
- Perdas de comutação e condução extremamente baixas
- Alta eficiência energética
- Tamanho compacto e leve
- Excelente robustez e confiabilidade
- Facilidade de uso
Com sua baixa resistência de estado ligado (RDS(on)) e carga de porta (Qg), o IPL60R199CP minimiza as perdas de energia, permitindo a construção de projetos mais eficientes e compactos. Além disso, sua alta capacidade de corrente e excelente robustez garantem um desempenho confiável em aplicações exigentes.
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