Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 900V, 500mOhm, projetado para aplicações de alta eficiência em fontes de alimentação.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS C3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 900 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 500 mOhm |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 12 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 3 V |
| Corrente de Pico Drain (Idm) | 48 A |
| Energia de Avalanche Única (EAS) | 200 mJ |
| Package | PG-TO263-3-1 |
| Temperatura de Operação | -55°C a 150°C |
Recursos
- Baixa carga de gate (Qg)
- Baixa capacitância de saída (Coss)
FAQ
Qual o encapsulamento do IPI90R500C3?
O IPI90R500C3 possui encapsulamento PG-TO263-3-1.
Qual a faixa de temperatura de operação do IPI90R500C3?
A temperatura de operação do IPI90R500C3 varia de -55°C a 150°C.
Quais as vantagens do IPI90R500C3 em termos de desempenho?
O IPI90R500C3 se destaca pela baixa carga de gate (Qg) e baixa capacitância de saída (Coss).