Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de gerenciamento de energia automotiva e industrial.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 4 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 40 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 75 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 6 mOhm a Vgs = 10 V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 175 °C |
| Encapsulamento | Automotive Qualified |
Recursos
- Baixa Carga de Gate (Qg)
- Baixa Resistência de Condução
- Ideal para aplicações de chaveamento de alta frequência
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IPD75N04S406ATMA1?
O IPD75N04S406ATMA1 possui encapsulamento PG-TDSON-8 e é qualificado para uso automotivo.
Qual a faixa de temperatura de operação do MOSFET?
O MOSFET IPD75N04S406ATMA1 pode operar em temperaturas que variam de -55 °C a 175 °C.
Quais são as aplicações típicas do IPD75N04S406ATMA1?
O IPD75N04S406ATMA1 é ideal para aplicações de chaveamento de alta frequência, e é projetado para gerenciamento de energia automotiva e industrial, devido à sua baixa carga de gate e baixa resistência de condução.