Infineon IPD75N04S406ATMA1

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Infineon IPD75N04S406ATMA1: MOSFET de Potência Automotivo de Alta Performance

O Infineon IPD75N04S406ATMA1 é um MOSFET de potência N-Channel de última geração, pertencente à família OptiMOS™-T2, projetado para aplicações automotivas que exigem alta eficiência e confiabilidade. Este componente oferece excelente desempenho em comutação, baixa resistência de condução (RDS(on)) e robustez para atender às demandas de sistemas eletrônicos modernos em veículos.

Especificações Técnicas do IPD75N04S406ATMA1:

  • Tensão Dreno-Source (VDS): 40V
  • Corrente de Dreno (ID): 75A
  • RDS(on) (máx.): 5.9mΩ
  • Tecnologia: OptiMOS™-T2
  • Encapsulamento: DPAK (PG-TO252-3-313)
  • Configuração: Canal N, único
  • Temperatura de Junção (Tj): -55°C a 175°C

Características e Benefícios:

O MOSFET IPD75N04S406ATMA1 da Infineon oferece uma série de vantagens que o tornam ideal para diversas aplicações automotivas, incluindo:

  • Baixa Resistência de Condução (RDS(on)): Minimiza as perdas de potência e aumenta a eficiência energética.
  • Excelente Desempenho em Comutação: Permite chaveamento rápido e preciso, reduzindo as perdas e melhorando a performance geral do sistema.
  • Alta Capacidade de Corrente: Suporta correntes elevadas, tornando-o adequado para aplicações de alta potência.
  • Robustez e Confiabilidade: Atende aos rigorosos requisitos automotivos, garantindo operação confiável em condições adversas.
  • Encapsulamento DPAK: Compacto e de fácil montagem em placas de circuito impresso.

Aplicações Típicas:

O IPD75N04S406ATMA1 é uma escolha versátil para uma variedade de aplicações em veículos, como:

  • Gerenciamento de bateria
  • Controle de motor
  • Conversores DC-DC
  • Sistemas de iluminação
  • Aplicações de infotainment

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Observação: As especificações podem estar sujeitas a alterações sem aviso prévio. Consulte a folha de dados do fabricante para obter as informações mais atualizadas.

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