Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 700V, 17A, com baixa resistência Rds(on) e tecnologia CoolMOS P7, encapsulado em PG TO252 3.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS P7 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 700 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) a 25°C | 17 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)) a 10V: 900 mΩ |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)) a 1mA: 2.5 V |
| Corrente de Drain Pulsada (Id pulse) | 48 A |
| Potência Dissipada (Pd) a 25°C | 139 W |
| Encapsulamento | PG-TO252-3 |
| Temperatura de Operação | -55°C a 150°C |
| Diodo de Recuperação Rápida Integrado | Sim |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas (SMPS), fontes de alimentação para servidores, fontes de alimentação para telecomunicações, fontes de alimentação para PCs, adaptadores. |
FAQ
Qual o encapsulamento do MOSFET IPD70R900P7SAUMA1?
O MOSFET IPD70R900P7SAUMA1 é encapsulado em PG-TO252-3.
Quais as temperaturas de operação do IPD70R900P7SAUMA1?
A temperatura de operação do IPD70R900P7SAUMA1 varia de -55°C a 150°C.
Quais as aplicações típicas do IPD70R900P7SAUMA1?
As aplicações típicas do IPD70R900P7SAUMA1 incluem fontes de alimentação chaveadas (SMPS), fontes de alimentação para servidores, fontes de alimentação para telecomunicações, fontes de alimentação para PCs e adaptadores.