Infineon IPD60R600E6ATMA1: Eficiência e Desempenho para Aplicações Eletrônicas
O Infineon IPD60R600E6ATMA1 é um transistor MOSFET de canal N, projetado para atender às demandas de eficiência energética e alta confiabilidade em aplicações de potência. Desenvolvido com a tecnologia de ponta CoolMOS™ série E6, este componente é ideal para projetos que exigem baixo consumo de energia e desempenho consistente.
Principais Características
- Baixa resistência RDS(on): Com um valor de apenas 600mΩ, proporciona maior eficiência em circuitos de alta potência.
- Alta capacidade de tensão: Suporta até 600V, garantindo robustez em aplicações industriais e residenciais.
- Corrente contínua: Permite até 4,3A, ideal para uma ampla gama de aplicações.
- Menor dissipação térmica: A tecnologia CoolMOS™ reduz significativamente a perda de energia.
- Encapsulamento: Tipo TO-252 (DPAK), oferecendo fácil integração em placas de circuito impresso compactas.
Aplicações Típicas
O Infineon IPD60R600E6ATMA1 é amplamente utilizado em conversores de energia, fontes chaveadas, inversores e carregadores de bateria. Graças à sua alta eficiência e confiabilidade, este transistor é essencial em projetos onde o consumo energético precisa ser otimizado sem comprometer o desempenho.
Benefícios da Tecnologia CoolMOS™
O transistor integra a avançada tecnologia CoolMOS™, reconhecida por reduzir perdas de comutação e melhorar a densidade de potência. Isso resulta em menores temperaturas de operação e aumento da vida útil dos equipamentos, tornando-o uma escolha confiável para sistemas críticos.
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Especificações Técnicas Resumidas
- Tipo de Transistor: MOSFET Canal N
- VDS Máximo: 600V
- Corrente Máxima (ID): 4,3A
- Resistência RDS(on): 600mΩ
- Encapsulamento: TO-252 (DPAK)
O Infineon IPD60R600E6ATMA1 é a escolha ideal para quem busca alta eficiência e desempenho confiável. Consulte nossa equipe da Mokka Sensors para mais informações sobre este e outros componentes eletrônicos avançados.
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