Transistor MOSFET IPD50P04P4L11ATMA1 da Infineon
Procurando por um MOSFET de canal P de alta qualidade e confiabilidade? Apresentamos o IPD50P04P4L11ATMA1 da Infineon Technologies, um componente eletrônico de alto desempenho ideal para uma variedade de aplicações.
Especificações Técnicas do IPD50P04P4L11ATMA1:
- Tipo de canal: Canal P
- Tensão drain-source (Vds): -40V
- Corrente de dreno (Id): -50A
- Resistência de estado ligado (Rds(on)): 17.2mΩ
- Tipo de encapsulamento: DPAK
- Tecnologia: OptiMOS™-P2
- Aplicações: automotivas, industriais, conversão de energia
Características Principais do MOSFET IPD50P04P4L11ATMA1:
O IPD50P04P4L11ATMA1 é um transistor MOSFET de canal P que oferece excelente desempenho e eficiência em projetos eletrônicos. Com uma baixa resistência de estado ligado (Rds(on)) de 17.2mΩ, ele minimiza as perdas de energia e aumenta a eficiência geral do sistema. Sua capacidade de lidar com altas correntes de dreno (-50A) o torna adequado para aplicações de alta potência. O encapsulamento DPAK garante uma montagem fácil e confiável em placas de circuito impresso.
Aplicações do Transistor Infineon:
Este MOSFET é uma escolha ideal para uma ampla gama de aplicações, incluindo:
- Controle de motor
- Fontes de alimentação chaveadas
- Conversores DC-DC
- Sistemas de gerenciamento de bateria
- Aplicações automotivas
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Outras informações relevantes:
Além das especificações mencionadas, o IPD50P04P4L11ATMA1 apresenta outras características importantes, como:
- Baixa capacitância de entrada
- Tempo de comutação rápido
- Alta confiabilidade
- Conformidade com RoHS
Ao adquirir o IPD50P04P4L11ATMA1 da Infineon na Mokka Sensors, você garante um componente de alta qualidade e desempenho para o seu projeto. Nossa equipe está pronta para auxiliá-lo na escolha do MOSFET ideal para sua aplicação.
A Mokka-Sensors não trabalha apenas com o Infineon IPD50P04P4L11ATMA1 e você é muito bem vindo a conhecer os outros produtos do nosso catálogo!
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