Transistor MOSFET IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon – Alta Eficiência para suas Aplicações
Procurando por um MOSFET de alta qualidade e desempenho para seu projeto? Apresentamos o IPD35N10S3L26ATMA1 da Infineon, um componente eletrônico que oferece excelente eficiência e confiabilidade para uma variedade de aplicações.
Especificações Técnicas do IPD35N10S3L26ATMA1:
- Tipo de Canal: N-Channel
- Tensão Dreno-Fonte (VDS): 100V
- Corrente de Dreno (ID): 35A
- Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): 24mΩ (máx)
- Tecnologia: OptiMOS™-T
- Encapsulamento: DPAK (TO-252-3)
- Temperatura de Operação: -55°C a 175°C
- Qualificação: AEC Q101 (Automotivo)
Características e Benefícios do MOSFET IPD35N10S3L26ATMA1
O IPD35N10S3L26ATMA1 é um transistor MOSFET de potência que se destaca por suas características avançadas, proporcionando alto desempenho e confiabilidade em diversas aplicações. Descubra os benefícios que ele oferece:
- Baixa Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): Minimiza as perdas de energia e aumenta a eficiência do seu sistema.
- Alta Capacidade de Corrente: Permite o controle de cargas significativas com facilidade.
- Robustez e Durabilidade: Suporta altas temperaturas e condições adversas de operação, garantindo longa vida útil.
- Tecnologia OptiMOS™-T: Oferece excelente desempenho em comutação, ideal para aplicações de alta frequência.
- Qualificação AEC Q101: Atende aos rigorosos padrões da indústria automotiva, garantindo confiabilidade em aplicações veiculares.
Aplicações do IPD35N10S3L26ATMA1
Graças à sua versatilidade e desempenho, o IPD35N10S3L26ATMA1 pode ser utilizado em uma ampla gama de aplicações, incluindo:
- Automotivo: Sistemas de gerenciamento de bateria, iluminação, controle de motor, e muito mais.
- Eletrônica de Potência: Conversores DC-DC, fontes de alimentação chaveadas, inversores.
- Controle Industrial: Acionamento de motores, relés, solenoides.
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