Infineon IPD33CN10NG: MOSFET de Potência de Alta Eficiência
O Infineon IPD33CN10NG é um MOSFET de potência de canal N que oferece um desempenho excepcional em aplicações de comutação de alta velocidade. Pertencente à família OptiMOS™ da Infineon, este transistor se destaca pela baixa resistência de condução (RDS(on)) e pela capacitância de entrada reduzida, resultando em menor dissipação de energia e maior eficiência.
Especificações Técnicas do IPD33CN10NG:
- Tensão Dreno-Fonte (VDS): 100V
- Corrente de Dreno (ID): 33A
- RDS(on): 10mΩ (típico)
- Tecnologia: OptiMOS™
- Encapsulamento: DPAK (TO-252)
Aplicações do MOSFET Infineon IPD33CN10NG:
Graças às suas características, o IPD33CN10NG é ideal para uma variedade de aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
- Conversores DC-DC
- Controladores de motor
- Aplicações automotivas
- Gerenciamento de energia
Benefícios do IPD33CN10NG:
Este MOSFET oferece uma série de vantagens que o tornam uma escolha superior em projetos de eletrônica de potência:
- Alta eficiência energética, reduzindo perdas e aumentando a vida útil da bateria
- Baixa resistência de condução, minimizando a dissipação de calor
- Comutação rápida, proporcionando melhor desempenho em altas frequências
- Encapsulamento DPAK compacto e robusto, ideal para aplicações com espaço limitado
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