Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de gerenciamento de energia em automotivos.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 33 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 3.3 mOhm a Vgs=10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.3 V |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de Operação | -40 °C a 175 °C |
| AEC | Q101 qualificado |
Recursos
- Baixa carga de gate (Qg)
- Baixa capacitância de saída (Coss)
- Ideal para aplicações automotivas de alta corrente
FAQ
Qual a tecnologia utilizada no transistor IPD33CN10NG?
O transistor IPD33CN10NG utiliza a tecnologia OptiMOS™ 5.
Quais as temperaturas de operação do IPD33CN10NG?
O IPD33CN10NG opera em temperaturas que variam de -40 °C a 175 °C.
Quais as aplicações típicas do IPD33CN10NG?
O IPD33CN10NG é ideal para aplicações automotivas de alta corrente, devido à sua baixa carga de gate (Qg) e baixa capacitância de saída (Coss).