Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação eficientes em sistemas automotivos e industriais.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 4 S |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 30 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 23 mOhm a Vgs = 10 V |
| Tensão Gate | Source de Limiar (Vgs(th)): 2 V |
| Package | PG-TO252-3 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +175 °C |
| Corrente Drain Pulsada (Id,pulse) | 120 A |
| Carga de Gate (Qg) | 15 nC |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 450 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 150 pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 30 pF |
| RoHS | Sim |
FAQ
Qual a temperatura de operação do MOSFET IPD30N06S4L23ATMA2?
A temperatura de operação do IPD30N06S4L23ATMA2 varia de -55 °C a +175 °C.
Qual a tensão Drain-Source e corrente contínua do IPD30N06S4L23ATMA2?
A tensão Drain-Source (Vds) é de 60 V e a corrente Drain contínua (Id) é de 30 A.
Qual o package e a resistência Drain-Source (Rds(on)) do IPD30N06S4L23ATMA2?
O package do IPD30N06S4L23ATMA2 é PG-TO252-3 e a resistência Drain-Source (Rds(on)) é de 23 mOhm a Vgs = 10 V.