Infineon IPD30N06S2L13ATMA4: MOSFET de Potência Automotivo de Alta Performance
Procurando por um MOSFET de potência automotivo confiável e eficiente? Apresentamos o Infineon IPD30N06S2L13ATMA4, um componente de alta qualidade que oferece excelente desempenho para suas aplicações automotivas.
Especificações Técnicas do IPD30N06S2L13ATMA4:
- Tipo de Canal: N-Channel
- Tensão Drain-Source (Vds): 55V
- Corrente de Dreno (Id): 30A
- Resistência On-State (Rds(on)): 13mΩ
- Tecnologia: OptiMOS™
- Pacote: DPAK (PG-TO252-3-11)
- Temperatura de Operação: -55°C a 175°C
- Aplicações: Automotivas
Características Principais:
O IPD30N06S2L13ATMA4 é um MOSFET de potência de última geração que oferece uma série de vantagens, incluindo:
- Baixa resistência Rds(on) para minimizar perdas de energia
- Alta capacidade de corrente para lidar com cargas exigentes
- Excelente desempenho térmico para garantir confiabilidade em altas temperaturas
- Qualificado AEC-Q101 para aplicações automotivas
- Compatível com RoHS e livre de halogênio
Aplicações Típicas:
Este MOSFET é ideal para uma variedade de aplicações automotivas, como:
- Gerenciamento de bateria
- Controle de motor
- Conversores DC-DC
- Sistemas de iluminação
- E muito mais
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