Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação de potência em veículos automotivos.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 2 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 30 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 13 mOhm a 4.5 Vgs |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Package | PG-TO252-3 |
| Classe de Temperatura | Automotive |
| RDS(on) máximo | 15.5 mOhm |
| VGS(th) típico | 2.1 V |
| Corrente Drain Pulsada (Id,pulse) | 120 A |
| Capacitância de entrada (Ciss) típica | 1100 pF |
| Capacitância de saída (Coss) típica | 350 pF |
| Capacitância de transferência (Crss) típica | 100 pF |
| Tempo de subida (tr) típico | 10 ns |
| Tempo de descida (tf) típico | 6 ns |
FAQ
Qual a tensão máxima que o MOSFET IPD30N06S2L13ATMA4 pode suportar?
A tensão Drain: Source (Vds) é de 60 V.
Em qual faixa de temperatura este MOSFET é classificado?
Este MOSFET possui classe de temperatura Automotive.
Quais são os valores típicos de capacitância e tempo de comutação do IPD30N06S2L13ATMA4?
A capacitância de entrada (Ciss) típica é 1100 pF, a capacitância de saída (Coss) típica é 350 pF, a capacitância de transferência (Crss) típica é 100 pF, o tempo de subida (tr) típico é 10 ns e o tempo de descida (tf) típico é 6 ns.