Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance da série OptiMOS™ 2, projetado para aplicações de comutação de alta frequência e baixa tensão.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 2 |
|---|---|
| Tipo de canal | N |
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Drain contínua (Id) | 30 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 13 mΩ a VGS = 10 V |
| Tensão Gate | Source (VGS): ±20 V |
| Tensão de limiar Gate | Source (VGS(th)): 2 V |
| Package | PG-TO-252 |
| Temperatura de operação | -55 °C a 175 °C |
| Encapsulamento | Superfície |
Recursos
- Baixa carga de gate
- Baixa resistência térmica
FAQ
Qual o encapsulamento do MOSFET IPD30N06S2L-13?
O MOSFET IPD30N06S2L-13 possui encapsulamento PG-TO-252 e é projetado para montagem em superfície.
Qual a faixa de temperatura de operação do IPD30N06S2L-13?
A temperatura de operação do IPD30N06S2L-13 varia de -55 °C a 175 °C.
Qual a tensão de Gate-Source máxima do IPD30N06S2L-13?
A tensão Gate-Source (VGS) máxima do IPD30N06S2L-13 é de ±20 V.