Infineon IPD30N06S2L-13: Transistor MOSFET de Alta Qualidade
O Infineon IPD30N06S2L-13 é um transistor MOSFET de canal N altamente eficiente, projetado para aplicações de comutação de alta velocidade e baixa tensão. Reconhecido por sua performance e confiabilidade, este componente é ideal para projetos que exigem precisão e estabilidade em circuitos eletrônicos.
Especificações Técnicas
- Tensão de dreno-fonte (VDS): até 60V
- Corrente contínua (ID): até 30A
- Resistência RDS(on): baixa, garantindo menor dissipação de energia
- Capacitância de entrada: 960 pF (típica)
- Temperatura de operação: de -55°C a 175°C
- Pacote: TO-252 (DPAK), compacto e adequado para montagem em superfícies
Vantagens do Uso
O IPD30N06S2L-13 da Infineon oferece inúmeras vantagens para aplicações em fontes de alimentação, circuitos de controle de motores e outros sistemas eletrônicos. Com uma baixa resistência de condução, ele proporciona maior eficiência energética e redução no aquecimento do sistema. Sua alta capacidade de comutação rápida o torna ideal para aplicações de alta frequência, otimizando o desempenho geral do circuito.
Aplicações Comuns
- Fontes de alimentação chaveadas
- Conversores DC-DC
- Controle de motores
- Reguladores de tensão
- Sistemas automotivos e industriais
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Conclusão
Se você busca um MOSFET de alto desempenho, o Infineon IPD30N06S2L-13 é uma escolha confiável para aplicações diversas em eletrônica. Suas especificações técnicas avançadas garantem eficiência e estabilidade, tornando-o indispensável para projetos que exigem qualidade superior.
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