Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance da série OptiMOS™ 3, projetado para aplicações de gerenciamento de energia automotiva.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 150 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 200 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 3.1 mΩ a Vgs = 10 V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Classe de Temperatura | Automotive |
| RoHS | Sim |
| Halogen Free | Sim |
| AEC Qualified | Sim |
FAQ
Qual a tensão máxima que o MOSFET IPD200N15N3GATMA1 pode suportar?
O transistor MOSFET IPD200N15N3GATMA1 suporta uma tensão Drain-Source (Vds) de 150 V.
Em quais ambientes este MOSFET pode ser utilizado?
O IPD200N15N3GATMA1 é classificado para uso automotivo e opera em uma classe de temperatura automotiva. Ele também atende aos requisitos RoHS, é livre de halogênio e possui qualificação AEC.
Quais são as principais características do IPD200N15N3GATMA1?
Este MOSFET de canal N, da série OptiMOS™ 3, possui corrente Drain Contínua (Id) de 200 A, resistência Drain-Source (RDS(on)) de 3.1 mΩ a Vgs = 10 V, e tensão Gate-Source (Vgs) de ±20 V. Ele é encapsulado em um package PG-TDSON-8.