Infineon IPD200N15N3GATMA1 – Mosfet de Alta Eficiência
O Infineon IPD200N15N3GATMA1 é um mosfet canal N desenvolvido para aplicações que exigem alta eficiência e desempenho confiável. Este componente é ideal para projetos eletrônicos que demandam gerenciamento térmico otimizado, baixa resistência de condução e alta capacidade de corrente. Ele é amplamente utilizado em sistemas industriais, automotivos e em diversas aplicações de potência.
Especificações Técnicas
- Tipo: MOSFET Canal N
- Resistência RDS(on): 2 mΩ (máx.)
- Tensão Máxima de Operação (Vds): 150V
- Corrente de Dreno (Id): até 200A
- Tipo de Encapsulamento: TO-252 (DPAK)
- Temperatura de Operação: -55°C a 175°C
- Tecnologia: OptiMOS™ 3
Com essas especificações, o Infineon IPD200N15N3GATMA1 se destaca como uma escolha robusta para aplicações onde eficiência e durabilidade são cruciais.
Vantagens e Benefícios
O Infineon IPD200N15N3GATMA1 oferece uma série de benefícios que o tornam indispensável para projetos modernos:
- Alta Eficiência: Graças à baixa resistência RDS(on), ele reduz significativamente as perdas de energia durante a operação.
- Excelente Gerenciamento Térmico: Projetado para operar em temperaturas elevadas sem comprometer o desempenho.
- Confiabilidade: Sua construção robusta garante longa vida útil mesmo em condições extremas.
- Versatilidade: Compatível com diversas aplicações, incluindo conversores de potência, reguladores de tensão e sistemas de energia automotivos.
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