Descrição
O Infineon IPD12CN10NGATMA1 é um MOSFET de canal N de alta performance em um encapsulamento PG TDSON 8, projetado para aplicações automotivas.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | 12 A |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8 |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 9.5 mΩ a Vgs = 10 V |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V |
| Tensão Gate | Source Máxima (Vgs): ±20 V |
| Temperatura de Operação | -40 °C a 150 °C |
| Aplicações | Automotivas |
| RoHS | Sim |
| Halogen Free | Sim |
FAQ
Qual o encapsulamento do IPD12CN10NGATMA1?
O IPD12CN10NGATMA1 possui encapsulamento PG-TDSON-8.
Qual a faixa de temperatura de operação do IPD12CN10NGATMA1?
A temperatura de operação do IPD12CN10NGATMA1 varia de -40 °C a 150 °C.
O IPD12CN10NGATMA1 é adequado para aplicações automotivas e possui alguma certificação de proteção ambiental?
Sim, o IPD12CN10NGATMA1 é projetado para aplicações automotivas e é compatível com RoHS e Halogen Free.