Infineon IPD12CN10NGATMA1: MOSFET de Potência N-Channel 100V 67A
Procurando por um MOSFET de potência confiável e eficiente para sua aplicação? Apresentamos o Infineon IPD12CN10NGATMA1, um transistor MOSFET de canal N de última geração que oferece excelente desempenho e confiabilidade.
Especificações Técnicas do IPD12CN10NGATMA1:
- Tipo de Canal: N-Channel
- Tensão Drain-Source (VDSS): 100V
- Corrente de Dreno Contínua (ID): 67A
- Resistência On-State (RDS(on)): 9.3mΩ
- Potência Dissipada (PD): 125W
- Encapsulamento: PG-TO252-3 (DPAK)
- Tecnologia: Trench MOSFET
Características Principais do MOSFET Infineon:
O IPD12CN10NGATMA1 é projetado para atender às demandas de uma ampla gama de aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
- Conversores DC-DC
- Controladores de motor
- Aplicações automotivas
- Gerenciamento de bateria
Este MOSFET de potência da Infineon oferece uma série de vantagens, como:
- Baixa resistência On-state para alta eficiência energética
- Alta capacidade de corrente para lidar com cargas exigentes
- Excelente desempenho de comutação para operação de alta frequência
- Encapsulamento compacto para economia de espaço
- Robustez e confiabilidade para longa vida útil
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