Infineon IPD122N10N3GATMA1: MOSFET de Potência N-Channel 100V
Procurando por um MOSFET de potência confiável e eficiente para sua aplicação? Apresentamos o Infineon IPD122N10N3GATMA1, um transistor MOSFET de canal N de 100V que oferece excelente desempenho e confiabilidade.
Especificações Técnicas do IPD122N10N3GATMA1:
- Tensão Dreno-Fonte (VDS): 100V
- Corrente de Dreno Contínua (ID): 59A @ 25°C
- Corrente de Dreno Pulsada (IDpulso): 236A
- Resistência On-State (RDS(on)): 12.2mΩ @ 10V
- Capacitância de Entrada (Ciss): 1880pF
- Capacitância de Saída (Coss): 330pF
- Carga de Porta Total (Qg): 26nC
- Dissipação de Potência (Ptot): 94W
- Temperatura de Operação: -55°C a 175°C
- Encapsulamento: DPAK (TO-252)
Características Principais:
O MOSFET IPD122N10N3GATMA1 da Infineon é projetado para fornecer alta eficiência e desempenho em uma variedade de aplicações. Com baixa resistência RDS(on), ele minimiza as perdas de condução, tornando-o ideal para aplicações de alta potência. Além disso, sua alta capacidade de corrente e rápida comutação o tornam adequado para controle de motor, fontes de alimentação chaveadas e outras aplicações exigentes.
Este componente da Infineon oferece excelente confiabilidade e robustez, suportando altas temperaturas e correntes pulsadas. O encapsulamento DPAK (TO-252) é amplamente utilizado e facilita a montagem em dissipadores de calor, garantindo uma ótima dissipação térmica.
Aplicações:
O IPD122N10N3GATMA1 é uma escolha versátil para diversas aplicações, incluindo:
- Controle de motor DC e AC
- Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
- Conversores de energia
- Inversores solares
- Carregadores de bateria
- Sistemas de iluminação
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