Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, otimizado para aplicações de gerenciamento de energia automotiva.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 8.8 mOhm a Vgs=10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V |
| Corrente Gate | Source (Igss): ±100 nA |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 1800 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 450 pF |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 150 pF |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +175 °C |
| Package | PG-TDSON-8 |
| AEC | Q101 qualificado |
FAQ
Qual a faixa de temperatura de operação do IPD088N06N3 G?
O transistor IPD088N06N3 G opera em temperaturas entre -55 °C e +175 °C.
Qual a tensão máxima que o IPD088N06N3 G suporta entre Drain e Source?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima do IPD088N06N3 G é de 60 V.
Quais as características do pacote e qualificação do IPD088N06N3 G?
O IPD088N06N3 G utiliza o pacote PG-TDSON-8 e é qualificado para o padrão AEC-Q101.