Infineon IPD088N06N3 G: MOSFET de Potência de Alta Eficiência
O Infineon IPD088N06N3 G é um MOSFET de potência de canal N que oferece excelente desempenho em aplicações de comutação de alta velocidade. Pertencente à família OptiMOS™ 3, este transistor se destaca pela baixa resistência de condução (RDS(on)) e capacitância, tornando-o ideal para projetos que exigem alta eficiência e baixo consumo de energia.
Especificações Técnicas do IPD088N06N3 G:
- Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 60V
- Corrente de Dreno Contínua (ID): 50A
- Resistência de Condução (RDS(on)): 8.8mΩ
- Tecnologia: OptiMOS™ 3
- Encapsulamento: DPAK TO-252-3
Aplicações do MOSFET Infineon IPD088N06N3 G:
Graças às suas características, o IPD088N06N3 G pode ser utilizado em uma ampla gama de aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
- Conversores DC-DC
- Controladores de motor
- Aplicações automotivas
- Gerenciamento de bateria
Benefícios do IPD088N06N3 G:
Este MOSFET da Infineon oferece uma série de vantagens para seus projetos:
- Alta eficiência energética, reduzindo perdas de potência.
- Baixa resistência de condução, minimizando a dissipação de calor.
- Comutação rápida, ideal para aplicações de alta frequência.
- Encapsulamento DPAK compacto e robusto.
- Excelente relação custo-benefício.
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Observação: As especificações podem estar sujeitas a alterações sem aviso prévio. Consulte a folha de dados do fabricante para obter as informações mais atualizadas.
A Mokka-Sensors não trabalha apenas com o Infineon IPD088N06N3 G e você é muito bem vindo a conhecer os outros produtos do nosso catálogo!
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