Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance da série OptiMOS™ 3, projetado para aplicações de gerenciamento de energia automotiva.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 75 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 8.2 mΩ a Vgs = 10 V |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V |
| Corrente Gate | Source Máxima (Vgs): ±20 V |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Encapsulamento | Halogen-free, RoHS compliant |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +175 °C |
| Aplicações | Gerenciamento de energia automotiva, e-fuse, sistemas de bateria |
| Fabricante | Infineon Technologies |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do IPD082N10N3GATMA1?
O IPD082N10N3GATMA1 utiliza o encapsulamento PG-TDSON-8, é Halogen-free e está em conformidade com RoHS.
Qual a faixa de temperatura de operação do IPD082N10N3GATMA1?
O IPD082N10N3GATMA1 opera em uma faixa de temperatura de -55 °C a +175 °C.
Quais são as aplicações típicas do IPD082N10N3GATMA1?
O IPD082N10N3GATMA1 é projetado para aplicações de gerenciamento de energia automotiva, e-fuse e sistemas de bateria.