Infineon IPD082N10N3GATMA1: MOSFET de Potência N-Channel 100V 80A
O Infineon IPD082N10N3GATMA1 é um MOSFET de potência N-Channel de alta performance, ideal para aplicações que exigem alta eficiência e baixo consumo de energia. Com uma tensão de ruptura de 100V e uma corrente de dreno de 80A, este transistor é perfeito para projetos de comutação de alta velocidade e retificação síncrona em conversores DC-DC, inversores, drivers de motor e outras aplicações de gerenciamento de energia.
Características Principais do IPD082N10N3GATMA1:
- Tecnologia Trench MOSFET para menor resistência no estado ligado (RDS(on))
- Baixa carga de porta (Qg) para comutação rápida e eficiente
- Excelente figura de mérito (FOM) para alta performance
- Baixa capacitância de saída (Coss) para reduzir perdas de comutação
- Temperatura de operação de até 175°C
- Encapsulamento DPAK (PG-TO252-3) para fácil montagem em placa de circuito impresso
- Compatível com RoHS e livre de halogênio
Aplicações do MOSFET IPD082N10N3GATMA1:
Este MOSFET de potência da Infineon é uma escolha confiável para uma variedade de aplicações, incluindo:
- Conversores DC-DC
- Inversores
- Drivers de Motor
- Fontes de Alimentação
- Gerenciamento de Energia
- Carregadores de Bateria
- Sistemas de Iluminação LED
Especificações Técnicas do IPD082N10N3GATMA1:
Para mais detalhes sobre as especificações técnicas, consulte a folha de dados do produto.
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Observação: As informações fornecidas aqui são apenas para fins informativos. Consulte a folha de dados oficial da Infineon para obter as especificações completas e mais atualizadas do IPD082N10N3GATMA1.
A Mokka-Sensors não trabalha apenas com o Infineon IPD082N10N3GATMA1 e você é muito bem vindo a conhecer os outros produtos do nosso catálogo!
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