Infineon IPD075N03LG: MOSFET de Potência de Alta Eficiência
O Infineon IPD075N03LG é um MOSFET de potência de canal N que oferece excelente desempenho em aplicações de comutação de alta velocidade, como conversores DC-DC e fontes de alimentação chaveadas (SMPS). Com uma resistência RDS(on) ultrabaixa e uma capacitância de entrada reduzida, este transistor garante uma comutação rápida e eficiente, minimizando as perdas de energia e aumentando a confiabilidade do sistema.
Especificações Técnicas do IPD075N03LG:
- Tecnologia: OptiMOS™ 3
- Tensão Dreno-Fonte (VDS): 30V
- Corrente de Dreno (ID): 50A
- Resistência RDS(on): 7.5mΩ (típico)
- Carga de Porta (Qg): 20nC (típico)
- Tempo de Aumento (tr): 10ns (típico)
- Tempo de Queda (tf): 2.8ns (típico)
- Encapsulamento: DPAK-3 (TO-252-3)
Características Principais:
O IPD075N03LG da Infineon se destaca por suas características avançadas, que o tornam ideal para uma ampla gama de aplicações:
- Baixa Resistência RDS(on): Permite menor dissipação de potência e maior eficiência energética.
- Capacitância de Entrada Reduzida: Proporciona comutação mais rápida e reduz as perdas de comutação.
- Alta Capacidade de Corrente: Suporta correntes de dreno de até 50A, tornando-o adequado para aplicações de alta potência.
- Robustez e Confiabilidade: Classificado para avalanche e projetado para operar em condições exigentes.
- Encapsulamento DPAK-3: Compacto e fácil de montar em placas de circuito impresso.
Aplicações do MOSFET IPD075N03LG:
Este MOSFET de potência é a escolha perfeita para diversas aplicações, incluindo:
- Conversores DC-DC
- Fontes de Alimentação Chaveadas (SMPS)
- Controladores de Motor
- Gerenciamento de Bateria
- Aplicações Automotivas
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Observação: As especificações podem variar. Consulte a folha de dados do fabricante para obter informações detalhadas sobre o produto.
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