Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance da série OptiMOS™ 3, projetado para aplicações de gerenciamento de energia automotiva.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Tensão Drain | Source (Vds): 30 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 7.5 mΩ a Vgs = 10 V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 175 °C |
| Aplicações | Gerenciamento de energia automotiva, relés de estado sólido, sistemas de distribuição de energia. |
| RoHS | Sim |
| Halogen Free | Sim |
FAQ
Qual a tecnologia utilizada no MOSFET IPD075N03LG?
O transistor MOSFET IPD075N03LG utiliza a tecnologia OptiMOS™ 3.
Quais as temperaturas de operação do IPD075N03LG?
O IPD075N03LG opera em temperaturas que variam de -55 °C a 175 °C.
Quais as aplicações típicas do IPD075N03LG?
As aplicações típicas do IPD075N03LG incluem gerenciamento de energia automotiva, relés de estado sólido e sistemas de distribuição de energia.